Ультрафиолет удешевит производство микрочипов
Постоянно оптимизируя технологический процесс создания современных полупроводниковых микропроцессоров, инженеры стараются снизить затраты производителя при осуществлении полного цикла подготовки продукции, или повысить качество и количество конечного продукта. Одним из последних достижении исследователей является модификация процесса изготовления микрочипов на основе кремния, что позволит снизить стоимость производства, и как следствие, сделает конечный продукт более дешевым.
Рассматривая современный технологический процесс создания полупроводниковых микросхем можно отметить довольно сложную методику формирования слоев оксида кремния на полупроводниковой пластине. Естественно, исключить диэлектрик, которым как раз является оксид кремния, невозможно, однако можно оптимизировать условия его формирования. Сегодня подавляющее большинство компаний проводит процессы окисления кремния при температуре около 1000 градусов по шкале Цельсия, что приводит к колоссальным энергетическим и материальным затратам.
Новое решение исследователей заключается в использовании значительно более экономных ультрафиолетовых ламп, которые ускоряют реакцию соединения атомов кислорода с атомами кремния на поверхности подложки. При этом отсутствует необходимость в нагреве зоны реактора до высоких температур - вполне возможно, что реакция окисления будет протекать и при температурах ниже 100 градусов по шкале Цельсия.
Профессор Ян Бойд (Ian Boyd) из британского учебного заведения University College London (UCL) заявляет, что технология может быть включена практически в любой техпроцесс создания кремниевых чипов, а снижение энергетических затрат при изготовлении продукции положительно скажется на потребительских качествах готовой продукции.